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हमने अभी एक Pdfn5 mosfet जारी किया है, भाग संख्या CTKG100N10DF5 है, जो एक N-चैनल पावर MOSFET है। इसे उच्च{{6}वर्तमान, उच्च{7}दक्षता और उच्च{8}विश्वसनी

रेक्टिफायर ब्रिज की वोल्टेज झेलने की क्षमता इसकी संरचना और सामग्री पर निर्भर करती है। फ्लैट ब्रिज संरचनाएं, उनके कॉम्पैक्ट डिजाइन के कारण, आमतौर पर उच

इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में एक अपरिहार्य घटक के रूप में, रेक्टिफायर ब्रिज के प्रदर्शन की स्थिरता सीधे पूरे सर्किट के सामान्य संचालन को प्रभावित करती है। इ

एक रेक्टिफायर ब्रिज आम तौर पर पर्याप्त रूप से बड़ा आगमनात्मक भार वहन करता है, इस प्रकार वर्तमान असंततता को रोकता है। सामान्य अनुप्रयोगों में, एक स्मूथ

मानक वोल्टेज पर अवक्षयण-मोड फ़ील्ड-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET)। बाएँ से दाएँ: जंक्शन FET, पॉलीसिलिकॉन मेटल {{3}ऑक्साइड {{4}सेमीकंडक्टर FET, ड्यूल {{5}गेट

MOSFETs के सुरक्षित उपयोग के लिए, सर्किट डिज़ाइन को बिजली अपव्यय, अधिकतम नाली {{0} स्रोत वोल्टेज, अधिकतम गेट {{1} स्रोत वोल्टेज, और अधिकतम वर्तमान जैस

प्रतिरोध विधि द्वारा इलेक्ट्रोड माप: जंक्शन क्षेत्र - प्रभाव ट्रांजिस्टर (जेएफईटी) में पीएन जंक्शन के आगे और रिवर्स प्रतिरोध मूल्यों में अंतर के आधार

फ़ील्ड - प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के स्रोत (ओं), गेट (जी), और ड्रेन (डी) क्रमशः ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक (ई), आधार (बी), और कलेक्टर (सी) के अनुरूप हैं,

यह एक इंसुलेटेड {{0}गेट फ़ील्ड {{1}इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर है। इसकी मुख्य विशेषता धातु गेट और चैनल के बीच एक सिलिकॉन डाइऑक्साइड इन्सुलेटिंग परत की उपस्थित

फ़ील्ड -इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FETs) को मोटे तौर पर दो श्रेणियों में वर्गीकृत किया गया है: जंक्शन फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (JFETs) और इंसुलेटेड{{2}गेट

द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर (BJTs) की तुलना में, फ़ील्ड{0}}प्रभाव ट्रांजिस्टर (FETs) में निम्नलिखित विशेषताएं हैं

बुनियादी एम्पलीफायर सर्किट एम्पलीफायर सर्किट में सबसे मौलिक संरचना है और जटिल एम्पलीफायर सर्किट के निर्माण के लिए बुनियादी इकाई है।